SI9926CDY-T1-GE3 富士康現貨，技術支持
發(fā)布時間：2019/4/11
SI9926CDY-T1-GE3介紹：
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
通道數量: 2 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 8 A
Rds On-漏源導通電阻: 18 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 600 mV
Vgs - 柵極-源極電壓: 4.5 V
Qg-柵極電荷: 22 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
系列: SI9
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 3.9 mm
商標: Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值: 45 S
下降時間: 12 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 35 ns
典型接通延遲時間: 15 ns
零件號別名: SI9926CDY-GE3
單位重量: 187 mg
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