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晶體管 SIRA10DP-T1-GE3 MOSFET - 單

發(fā)布時(shí)間:2018/10/15

SIRA10DP-T1-GE3介紹:

描述 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 32 周

詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 60A(Tc) 5W(Ta),40W(Tc) PowerPAK? SO-8

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET?

包裝    帶卷(TR)  

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss) 30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 60A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 3.7 毫歐 @ 10A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V

Vgs(最大值) +20V,-16V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 2425pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 5W(Ta),40W(Tc)

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 PowerPAK? SO-8

封裝/外殼 PowerPAK? SO-8

安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:


公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、

臺(tái)灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導(dǎo)體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;


安富利(深圳)商貿(mào)有限公司,全球最專業(yè)的配單專家。一手貨源!價(jià)格優(yōu)勢!

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地址:深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號(hào)A棟201

電話:0755-23941780


晶體管有三個(gè)極: 雙極性晶體管的三個(gè)極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base)和集電極(Collector); 場效應(yīng)晶體管的三個(gè)極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。


威世隨后采取了一些較小規(guī)模的對(duì)無源元件制造廠商的收購。 在2000年收購了伊萊克芬(Electro-Films)、思拉麥特(Cera-Mite)和思伯喬(Spectrol),在2001年收購了銓斯特(Tansitor)和北美電容器公司(馬洛里)【North American Capacitor Company (Mallory) 】。


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