晶體管 NSVMMUN2232LT1G 雙極 (BJT)
發(fā)布時(shí)間：2018/9/27
NSVMMUN2232LT1G介紹：
描述 TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 36 周
詳細(xì)描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預(yù)偏置
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 NPN - 預(yù)偏壓
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
電阻器 - 基底（R1） 4.7 kOhms
電阻器 - 發(fā)射極基底（R2） 4.7 kOhms
不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 15 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值） 250mV @ 1mA，10mA
電流 - 集電極截止（最大值） 500nA
功率 - 最大值 246mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）
基本零件編號(hào) MMUN22**L
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