晶體管 TN2106K1-G FET-MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/8/14
TN2106K1-G介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 8 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 60V 280mA（Tj） 360mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Microchip Technology
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 280mA（Tj）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 2.5 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 50pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 360mW（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-236AB（SOT23）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
公司所銷(xiāo)售產(chǎn)品涉及世界各名廠(chǎng)IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛(ài)特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國(guó)仿真器件(ADI)、國(guó)際整流器(IR)、
臺(tái)灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國(guó)美商半導(dǎo)體(AMD)、愛(ài)特梅爾(Atmel）、安捷倫;
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司，全球最專(zhuān)業(yè)的配單專(zhuān)家。一手貨源!價(jià)格優(yōu)勢(shì)！
所出的物料，絕對(duì)原裝正品！放心購(gòu)買(mǎi)！
本公司為一般納稅人，可開(kāi)16%增值稅票！歡迎垂詢(xún)！
地址：深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號(hào)A棟201
電話(huà)：0755-88607867
MOSFET依照其"通道"(工作載流子)的極性不同，可分為"N型"與"P型" 的兩種類(lèi)型，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
金氧半場(chǎng)效晶體管里的氧化層位于其溝道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數(shù)十至數(shù)百埃（?）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不過(guò)有些新的高級(jí)制程已經(jīng)可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做為氧化層之用。
