晶體管 ZXMHC6A07N8 MOSFET - 陣列
發(fā)布時間：2018/7/20
ZXMHC6A07N8介紹：
描述 MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
制造商標準提前期 20 周
詳細描述 Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SOP
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個 N 通道和 2 個 P 通道（H 橋）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 1.39A，1.28A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 250 毫歐 @ 1.8A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 3.2nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 166pF @ 40V
功率 - 最大值 870mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝 8-SOP
基本零件編號 ZXMHC6A07
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晶體管實際上是所有現(xiàn)代電器的關鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規(guī)模生產的能力，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。?
