晶體管 - IGBT FS75R12KE3 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/7/18
FS75R12KE3介紹：
描述 IGBT MODULE 1200V 75A
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 48 周
詳細(xì)描述 IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 105A 350W Chassis Mount Module
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - IGBT - 模塊
制造商 Infineon Technologies
系列 -
零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 NPT
配置 三相反相器
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 105A
功率 - 最大值 350W
不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 2.15V @ 15V，75A
電流 - 集電極截止（最大值） 5mA
不同 Vce 時(shí)的輸入電容（Cies） 5.3nF @ 25V
輸入 標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻 是
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 底座安裝
封裝/外殼 模塊
供應(yīng)商器件封裝 模塊
基本零件編號(hào) V24B5H200
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會(huì)使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，在柵極施加小電壓，來(lái)控制源極和泄極之間的電流。
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