晶體管 NP20P04SLG MOSFET
發(fā)布時間：2018/7/6
NP20P04SLG介紹：
描述 MOSFET P-CH 40V 20A TO-252
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 40V 20A（Tc） 1.2W（Ta），38W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Renesas Electronics America
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 20A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 25 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 34nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1650pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.2W（Ta），38W（Tc）
工作溫度 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TO-252（MP-3ZK）
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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金氧半場效晶體管在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而IGFET的柵極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效晶體管使用的氧化層。
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