放大器 LT1178S8#TRPBF 線(xiàn)性
發(fā)布時(shí)間：2018/11/22
LT1178S8#TRPBF介紹：
描述 IC OPAMP GP 85KHZ 8SO
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 8 周
詳細(xì)描述 通用 放大器 2 電路 8-SO
類(lèi)別 集成電路（IC）
線(xiàn)性 - 放大器 - 儀表，運(yùn)算放大器，緩沖器放大器
制造商 Linear Technology/Analog Devices
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
放大器類(lèi)型 通用
電路數(shù) 2
輸出類(lèi)型 -
壓擺率 0.04 V/μs
增益帶寬積 85kHz
電流 - 輸入偏置 3nA
電壓 - 輸入失調(diào) 120μV
電流 - 電源 17μA
電壓 - 電源，單/雙（±） 5 V ~ 30 V，±2.5 V ~ 15 V
工作溫度 0°C ~ 70°C
安裝類(lèi)型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
基本零件編號(hào) LT1178
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存儲(chǔ)器的重要性無(wú)須多言，Gartner統(tǒng)計(jì)顯示，2017年其市場(chǎng)規(guī)模就高達(dá)1300億美元。而在經(jīng)過(guò)幾十年的洗禮之后，強(qiáng)周期因子的存儲(chǔ)器業(yè)版圖也已劃定，DRAM玩家從80年代的40~50家，已巨變成為三星、SK海力士和美光三強(qiáng)。而在另一大主力閃存中的NAND閃存陣列中，也已是三星、西部數(shù)據(jù)、美光和SK海力士的天下。
然而走到今天，現(xiàn)有的存儲(chǔ)技術(shù)暴露出一些“硬傷”，如SRAM、DRAM的問(wèn)題在于其易失性，而FLASH、EEPROM的寫(xiě)入速度慢，且寫(xiě)入算法比較復(fù)雜，無(wú)法滿(mǎn)足實(shí)時(shí)處理系統(tǒng)中高速、高可靠性寫(xiě)入的要求，且功耗較高。因而，尋求替代性的解決方案成為業(yè)界重要議題，各種眼花繚亂的3D XPoint、鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）、相變存儲(chǔ)器（PRAM）、磁存儲(chǔ)器（MRAM）、阻變存儲(chǔ)器（RRAM） 等層出不窮，而且各有擁躉。
