晶體管 FDD8880 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/10/26
FDD8880介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 42 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 13A（Ta），58A（Tc） 55W（Tc） TO-252AA
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 13A（Ta），58A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 9 毫歐 @ 35A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 31nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1260pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 55W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-252AA
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會(huì)使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，在柵極施加小電壓，來(lái)控制源極和泄極之間的電流。
ON Semiconductor 擁有全球一流、響應(yīng)迅速的可靠供應(yīng)鏈和質(zhì)量程序，在北美、歐洲和亞太地區(qū)的主要市場(chǎng)中運(yùn)營(yíng)著包括制造工廠、銷(xiāo)售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的網(wǎng)絡(luò)。
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