晶體管 NTJD4001NT1G MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/10/23
NTJD4001NT1G介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 37 周
詳細(xì)描述 2 個(gè) N 溝道（雙） Mosfet 陣列 30V 250mA 272mW 表面貼裝 SC-88/SC70-6/SOT-363
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 250mA
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 1.5 歐姆 @ 10mA，4V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 100μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 1.3nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 33pF @ 5V
功率 - 最大值 272mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝 SC-88/SC70-6/SOT-363
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會(huì)使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場效應(yīng)晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。在模擬電路中，晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩(wěn)壓電路；在計(jì)算機(jī)電源中，主要用于開關(guān)電源。
2007年預(yù)計(jì)22億美元的收入 模擬及混合信號(hào)技術(shù)與設(shè)計(jì)的領(lǐng)先供應(yīng)商 電源管理業(yè)界的領(lǐng)先供應(yīng)商 汽車產(chǎn)品領(lǐng)先供應(yīng)商 醫(yī)療、軍事/航空和工業(yè)等終端市場應(yīng)用的領(lǐng)先定制產(chǎn)品 世界級(jí)、高產(chǎn)量、高性價(jià)比的制造 汽車、計(jì)算、消費(fèi)和通信等終端市場應(yīng)用的領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品?
