晶體管 FDS6612A MOSFET
發(fā)布時間：2018/10/9
FDS6612A介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 8.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 8.4A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 22 毫歐 @ 8.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 7.6nC @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 560pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），簡稱金氧半場效晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管依照其“溝道”極性的不同，可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常被稱為N型金氧半場效晶體管（NMOSFET）與P型金氧半場效晶體管（PMOSFET）。
ON Semiconductor 擁有全球一流、響應(yīng)迅速的可靠供應(yīng)鏈和質(zhì)量程序，在北美、歐洲和亞太地區(qū)的主要市場中運營著包括制造工廠、銷售辦事處及設(shè)計中心在內(nèi)的網(wǎng)絡(luò)。
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