集成電路 IS61LV12816L-10TL 存儲(chǔ)器
發(fā)布時(shí)間：2018/9/27
XTR105UA/2K5介紹：
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 8 周
詳細(xì)描述 SRAM - 異步 存儲(chǔ)器 IC 2Mb （128K x 16） 并聯(lián) 10ns 44-TSOP II
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
包裝 托盤
零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類型 易失
存儲(chǔ)器格式 SRAM
技術(shù) SRAM - 異步
存儲(chǔ)容量 2Mb （128K x 16）
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè) 10ns
訪問(wèn)時(shí)間 10ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 3.135 V ~ 3.6 V
工作溫度 0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 44-TSOP II
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臺(tái)灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國(guó)美商半導(dǎo)體(AMD)、愛(ài)特梅爾(Atmel）、安捷倫;
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外存通常是磁性介質(zhì)或光盤等，能長(zhǎng)期保存信息。內(nèi)存指主板上的存儲(chǔ)部件，用來(lái)存放當(dāng)前正在執(zhí)行的數(shù)據(jù)和程序，但僅用于暫時(shí)存放程序和數(shù)據(jù)，關(guān)閉電源或斷電，數(shù)據(jù)會(huì)丟失。
ISSI 用0.25微米工藝技術(shù)生產(chǎn)最先進(jìn)的SRAM產(chǎn)品，產(chǎn)品都是由代工服務(wù)商代為生產(chǎn)，臺(tái)灣的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。?
