晶體管 SI4477DY-T1-GE3 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/8/31
SI4477DY-T1-GE3介紹：
描述 MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 20V 26.6A（Tc） 3W（Ta），6.6W（Tc） 8-SO
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 26.6A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 6.2 毫歐 @ 18A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 190nC @ 10V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 4600pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3W（Ta），6.6W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
公司所銷(xiāo)售產(chǎn)品涉及世界各名廠(chǎng)IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
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無(wú)論多么優(yōu)良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問(wèn)題。隨著材料制作上的進(jìn)步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長(zhǎng)100到1000倍，稱(chēng)得起永久性器件的美名。
在二十世紀(jì)五十年代，物理學(xué)家同時(shí)也是現(xiàn)任威世公司的主席和首席技術(shù)及業(yè)務(wù)拓展主管Felix Zandman博士獲得了PhotoStress®涂層和儀表的專(zhuān)利。
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