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晶體管 NTGD4167C MOSFET - 陣列

發(fā)布時間:2018/8/14

NTGD4167C介紹:

描述 MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 30 周

詳細(xì)描述 Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 陣列

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包裝    帶卷(TR)  

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 和 P 溝道

FET 功能 邏輯電平門

漏源電壓(Vdss) 30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 2.6A,1.9A

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 90 毫歐 @ 2.6A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 295pF @ 15V

功率 - 最大值 900mW

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6

供應(yīng)商器件封裝 6-TSOP

基本零件編號 NTGD4167C

安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:


公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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從目前的角度來看MOSFET的命名,事實(shí)上會讓人得到錯誤的印象。因?yàn)镸OSFET里代表“metal”的第一個字母M在當(dāng)下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極(gate electrode)使用金屬作為其材料


安森美半導(dǎo)體致力于推動高能效創(chuàng)新,幫助客戶減少全球能源消耗。該公司是一家領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,其提供的全面產(chǎn)品組合包括高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、計時、連接、分立、SoC以及定制器件。

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