晶體管 DTC115EE 雙極 (BJT) - 單
發(fā)布時間：2018/7/20
DTC115EE介紹：
描述 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
制造商標準提前期 10 周
詳細描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 NPN - 預偏壓
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 20mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
電阻器 - 基底（R1） 100 kOhms
電阻器 - 發(fā)射極基底（R2） 100 kOhms
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 82 @ 5mA，5V
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA
電流 - 集電極截止（最大值） 500nA
頻率 - 躍遷 250MHz
功率 - 最大值 150mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SC-75，SOT-416
供應商器件封裝 EMT3
基本零件編號 DTC115
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
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