晶體管 TJ20S04M3L MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/7/20
TJ20S04M3L介紹：
描述 MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 16 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 40V 20A（Ta） 41W（Tc） DPAK+
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 U-MOSVI
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 20A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 22.2 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 37nC @ 10V
Vgs（最大值） +10V，-20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 41W（Tc）
工作溫度 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 DPAK+
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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溝道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設(shè)漏極和源極是n型，那么溝道也會(huì)是n型。溝道形成后，金氧半場效晶體管即可讓電流通過，而依據(jù)施于柵極的電壓值不同，可由金氧半場效晶體管的溝道流過的電流大小亦會(huì)受其控制而改變。
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