晶體管 FDP8N50NZ MOSFET
發(fā)布時間：2018/7/19
FDP8N50NZ介紹：
描述 MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 7 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 500V 8A（Tc） 130W（Tc） TO-220-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 UniFET??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 500V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 8A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 850 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 18nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 735pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 130W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220-3
封裝/外殼 TO-220-3
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因為MOSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個字母M，在當(dāng)下大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場效晶體管柵極使用金屬作為材料，但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進步，現(xiàn)代的金氧半場效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。
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