晶體管 TK3P50D MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/7/16
TK3P50D介紹：
描述 MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 16 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 500V 3A（Ta） 60W（Tc） DPAK
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 500V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 3A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 3 歐姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 7nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 280pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 60W（Tc）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 DPAK
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統(tǒng)集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個獨(dú)立的元件.晶體管是半導(dǎo)體三極管中應(yīng)用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“BG”等）表示。
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