存儲(chǔ)器 CAT25128HU4I-GT3 EEPROM
發(fā)布時(shí)間：2018/6/25
CAT25128HU4I-GT3介紹：
描述 IC EEPROM 128K SPI 10MHZ 8UDFN
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 10 周
詳細(xì)描述 EEPROM 存儲(chǔ)器 IC 128Kb （16K x 8） SPI 10MHz 8-UDFN-EP（2x3）
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類型 非易失
存儲(chǔ)器格式 EEPROM
技術(shù) EEPROM
存儲(chǔ)容量 128Kb （16K x 8）
時(shí)鐘頻率 10MHz
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè) 5ms
存儲(chǔ)器接口 SPI
電壓 - 電源 1.8 V ~ 5.5 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-UFDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝 8-UDFN-EP（2x3）
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構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材料的存儲(chǔ)元，它可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼。
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