晶體管 RSD220N06TL MOSFET
發(fā)布時間：2018/6/25
RSD220N06TL介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 22A SOT428
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 60V 22A（Ta） 20W（Ta） CPT3
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 不適用於新設計
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 22A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） -
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） -
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 20W（Ta）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 CPT3
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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溝道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設漏極和源極是n型，那么溝道也會是n型。溝道形成后，金氧半場效晶體管即可讓電流通過，而依據(jù)施于柵極的電壓值不同，可由金氧半場效晶體管的溝道流過的電流大小亦會受其控制而改變。
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