晶體管 MT3S16U 射頻
發(fā)布時間：2018/6/22
MT3S16U介紹：
描述 TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
對無鉛要求的達標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 RF Transistor NPN 5V 60mA 4GHz 100mW Surface Mount USM
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 射頻
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 5V
頻率 - 躍遷 4GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值） 2.4dB @ 1GHz
增益 4.5dBi
功率 - 最大值 100mW
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 80 @ 5mA，1V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 60mA
工作溫度 125°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SC-70，SOT-323
供應(yīng)商器件封裝 USM
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通常將特征頻率fT小于或等于3MHZ的晶體管稱為低頻管，將fT大于或等于30MHZ的晶體管稱為高頻管，將fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶體管稱為中頻管。
