晶體管 W11NK90Z 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/6/20
W11NK90Z介紹：
描述 MOSFET N-CH 900V 9.2A TO-247
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 38 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 900V 9.2A（Tc） 200W（Tc） TO-247-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 900V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 9.2A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 980 毫歐 @ 4.6A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 100μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 115nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-247-3
封裝/外殼 TO-247-3
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晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。
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