晶體管 SI8808DB-T2-E1 半導體產品
發(fā)布時間：2018/6/15
SI8808DB-T2-E1介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 46 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 500mW（Ta） 4-Microfoot
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） -
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 95 毫歐 @ 1A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 8V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 330pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 4-Microfoot
封裝/外殼 4-UFBGA
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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因為晶體管的低成本和后來的電子計算機，數字化信息的浪潮來到了。晶體管的低成本，靈活性和可靠性使得其成為非機械任務的通用器件，例如數字計算。晶體管在當今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規(guī)模生產的能力，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。
