晶體管 STR2N2VH5 MOSFET
發(fā)布時間：2018/6/13
STR2N2VH5介紹：
描述 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT-23
對無鉛要求的達標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 38 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 20V 350mW（Tc） SOT-23
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 STripFET?? V
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） -
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 30 毫歐 @ 2A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA（最?。?/p>
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 4.6nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 367pF @ 16V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 350mW（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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由于這種結(jié)構(gòu)在VGS=0時，ID=0，稱這種MOSFET為增強型。另一類MOSFET，在VGS=0時也有一定的ID（稱為IDSS），這種MOSFET稱為耗盡型。它的結(jié)構(gòu)如圖5所示，它的轉(zhuǎn)移特性如圖6所示。VP為夾斷電壓（ID=0）。
