晶體管 DMC3400SDW-13 MOSFET - 陣列
發(fā)布時(shí)間：2018/6/11
DMC3400SDW-13介紹：
描述 MOSFET N/P-CH 30V SOT363
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 20 周
詳細(xì)描述 Mosfet Array N and P-Channel 30V 650mA, 450mA 310mW Surface Mount SOT-363
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 和 P 溝道
FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 650mA，450mA
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 400 毫歐 @ 590mA，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 1.4nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 55pF @ 15V
功率 - 最大值 310mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝 SOT-363
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理論上和實(shí)際證明，不同種類的晶體管可以在低于1伏到上千伏電壓下工作，而電子管的第二電源（乙電）最低也要數(shù)伏，最高也就1000多伏，所以晶體管能被用在更廣泛的電路中，使其他優(yōu)勢(shì)得以發(fā)揮。
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