存儲器 DS1245W-150 NVSRAM
發(fā)布時間：2018/5/30
DS1245W-150介紹：
描述 IC NVSRAM 1MBIT 150NS 32EDIP
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 16 周
詳細描述 NVSRAM（非易失性 SRAM） 存儲器 IC 1Mb （128K x 8） 并聯(lián) 150ns 32-EDIP
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Maxim Integrated
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 非易失
存儲器格式 NVSRAM
技術(shù) NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量 1Mb （128K x 8）
寫周期時間 - 字，頁 150ns
訪問時間 150ns
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 3 V ~ 3.6 V
工作溫度 0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）
供應(yīng)商器件封裝 32-EDIP
基本零件編號 DS1245W
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PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現(xiàn)的。首先應(yīng)用可編程定時器8253的計數(shù)器1，每隔1⒌12μs產(chǎn)生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應(yīng)時，DMA控制器送出到刷新地址信號，對動態(tài)存儲器執(zhí)行讀操作，每讀一次刷新一行。
