晶體管 IRFHM830TRPBF MOSFET
發(fā)布時間：2018/5/28
IRFHM830TRPBF介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 21A（Ta），40A（Tc） 2.7W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 21A（Ta），40A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.35V @ 50μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 31nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2155pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.7W（Ta），37W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 3.8 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PQFN（3x3）
封裝/外殼 8-VQFN 裸露焊盤
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金氧半場效晶體管里的氧化層位于其溝道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數(shù)十至數(shù)百埃（?）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不過有些新的高級制程已經(jīng)可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做為氧化層之用。
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