晶體管 BSC0911ND FET
發(fā)布時間：2018/5/21
BSC0911ND介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 N 溝道（雙）非對稱型
FET 功能 邏輯電平柵極，4.5V 驅動
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 18A，30A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 3.2 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 12V
功率 - 最大值 1W
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-PowerTDFN
供應商器件封裝 PG-TISON-8
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel）、安捷倫;
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發(fā)射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
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