晶體管 SGW25N120 MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/5/17
SGW25N120介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計(jì)
IGBT 類型 NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 46A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 84A
不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 3.6V @ 15V，25A
功率 - 最大值 313W
開關(guān)能量 3.7mJ
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 225nC
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值 45ns/730ns
測試條件 800V，25A，22 歐姆，15V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-3
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三極管處于放大狀態(tài)還是開關(guān)狀態(tài)要看給三極管基極加的直流偏 置，隨這個(gè)電流變化，三極管工作狀態(tài)由截止-線性區(qū)-飽和狀態(tài)變化而變， 如果三極管Ib（直流偏置點(diǎn)）一定時(shí)，三極管工作在線性區(qū)，此時(shí)Ic電流的變化只隨著Ib的交流信號變化，Ib繼續(xù)升高，三極管進(jìn)入飽和狀態(tài)，此時(shí)三極管的Ic不再變化，三極管將工作在開關(guān)狀態(tài)。
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