晶體管 FDPF3N50NZ FET
發(fā)布時間：2018/5/10
FDPF3N50NZ介紹：
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 UniFET-II??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 500V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 3A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 9nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 280pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 27W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.5 歐姆 @ 1.5A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220F
封裝/外殼 TO-220-3 整包
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他們在發(fā)射極和基極之間輸入一個弱信號，在集電極和基極之間的輸出端，就放大為一個強信號了。在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中，上述晶體三極管的放大效應得到廣泛的應用。
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