晶體管 MCH6341-TL-E FET
發(fā)布時間：2018/5/8
MCH6341-TL-E介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) Digi-Key 停止供應(yīng)
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 5A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） -
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 430pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 59 毫歐 @ 3A，10V
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 6-MCPH
封裝/外殼 6-SMD，扁平引線
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比電子管可靠100倍，耐沖擊、耐振動，這都是電子管所無法比擬的。另外，晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一，放熱很少，可用于設(shè)計小型、復(fù)雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密，但工序簡便，有利于提高元器件的安裝密度。
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