晶體管 MCH6613-TL-E MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/5/7
MCH6613-TL-E介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 ON Semiconductor
系列 -
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零件狀態(tài) 最後搶購(gòu)
FET 類型 N 和 P 溝道
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 350mA，200mA
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 3.7 歐姆 @ 80mA，4V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） -
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 1.58nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 7pF @ 10V
功率 - 最大值 800mW
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝 6-MCPH
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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源極在MOSFET里的意思是“提供多數(shù)載流子的來源”。對(duì)NMOS而言，多數(shù)載流子是電子；對(duì)PMOS而言，多數(shù)載流子是空穴。相對(duì)的，漏極就是接受多數(shù)載流子的端點(diǎn)。
