晶體管IXTH67N10 FET
發(fā)布時(shí)間：2018/5/2
IXTH67N10介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 MegaMOS??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 67A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 4mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 260nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 25 毫歐 @ 33.5A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-247（IXTH）
封裝/外殼 TO-247-3
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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無論多么優(yōu)良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進(jìn)步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長(zhǎng)100到1000倍，稱得起永久性 器件的美名。
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