晶體管MMSF7P03HDR2G FET
發(fā)布時間：2018/5/2
MMSF7P03HDR2G介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 7A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 75.8nC @ 6V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1680pF @ 24V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 35 毫歐 @ 5.3A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SOIC
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
