晶體管IXTH160N15T FET
發(fā)布時(shí)間：2018/4/13
IXTH160N15T介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 TrenchHV??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 150V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 160A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 160nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 8800pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 830W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 9.6 毫歐 @ 500mA，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-247（IXTH）
封裝/外殼 TO-247-3
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晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
