晶體管 SI4920DY-T1-E3 FET
發(fā)布時間：2018/4/12
SI4920DY-T1-E3介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
FET 類型 2 個 N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） -
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 25 毫歐 @ 6.9A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA（最?。?nbsp;
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 23nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） -
功率 - 最大值 2W
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
基本零件編號 SI4920
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場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內(nèi)阻極高。
