MOSFET單 IRF6713STRPBF 晶體管
發(fā)布時間：2018/4/9
IRF6713STRPBF介紹；
描述 MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET-SQ
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 25V 22A（Ta），95A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET™ SQ
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 22A（Ta），95A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 50μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2880pF @ 13V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.2W（Ta），42W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 3 毫歐 @ 22A，10V
工作溫度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 DIRECTFET™ SQ
封裝/外殼 DirectFET™ 等容 SQ
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材料按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。工藝晶體管按其結構及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。電流容量晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管。