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STD12NF06L-1 集成電路IC

發(fā)布時(shí)間:2019/5/8

STD12NF06L-1介紹:

制造商: STMicroelectronics

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-251-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 12 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 100 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 16 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 30 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: STripFET

封裝: Tube

高度: 6.2 mm  

長(zhǎng)度: 6.6 mm  

系列: STD12NF06L-1  

晶體管類型: 1 N-Channel  

類型: MOSFET  

寬度: 2.4 mm  

商標(biāo): STMicroelectronics  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 7 S  

下降時(shí)間: 13 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 35 ns  

工廠包裝數(shù)量: 75  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 20 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 10 ns  

單位重量: 4 g


安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:


公司所銷(xiāo)售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(愛(ài)特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國(guó)仿真器件(ADI)、國(guó)際整流器(IR)、臺(tái)灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國(guó)美商半導(dǎo)體(AMD)、愛(ài)特梅爾(Atmel)、安捷倫;


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