存儲(chǔ)器 DS1245YP-100+ 集成電路
發(fā)布時(shí)間：2018/9/26
DS1245YP-100+介紹：
描述 IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 6 周
詳細(xì)描述 NVSRAM（非易失性 SRAM） 存儲(chǔ)器 IC 1Mb （128K x 8） 并聯(lián) 100ns 34-PowerCap 模塊
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Maxim Integrated
系列 -
包裝 管件
零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類型 非易失
存儲(chǔ)器格式 NVSRAM
技術(shù) NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲(chǔ)容量 1Mb （128K x 8）
寫周期時(shí)間 - 字，頁 100ns
訪問時(shí)間 100ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 4.5 V ~ 5.5 V
工作溫度 0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 34-PowerCap? 模塊
供應(yīng)商器件封裝 34-PowerCap 模塊
基本零件編號 DS1245Y
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當(dāng)需要把數(shù)據(jù)寫入芯片時(shí)，行列地址先后將RAS和CAS鎖存在芯片內(nèi)部，然后，WE有效，加上要寫入的數(shù)據(jù)，則將該數(shù)據(jù)寫入選中的存貯單元。
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