晶體管 APT40GP90B MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/8/7
APT40GP90B介紹：
描述 IGBT 900V 100A 543W TO247
詳細(xì)描述 IGBT PT 900V 100A 543W Through Hole TO-247 [B]
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 Microsemi Corporation
系列 POWER MOS 7?
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零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 900V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 160A
不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 3.9V @ 15V，40A
功率 - 最大值 543W
開(kāi)關(guān)能量 825μJ（關(guān)）
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 145nC
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值 16ns/75ns
測(cè)試條件 600V，40A，5 歐姆，15V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝 TO-247 [B]
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晶體管被認(rèn)為是現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明之一，在重要性方面可以與印刷術(shù)，汽車(chē)和電話等的發(fā)明相提并論。晶體管實(shí)際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵活動(dòng)（active）元件。晶體管在當(dāng)今社會(huì)的重要性主要是因?yàn)榫w管可以使用高度自動(dòng)化的過(guò)程進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)的能力，因而可以不可思議地達(dá)到極低的單位成本。
