晶體管 FDD4243 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時間：2018/7/23
FDD4243介紹：
描述 MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK
制造商標準提前期 17 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 40V 6.7A（Ta），14A（Tc） 42W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 6.7A（Ta），14A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 44 毫歐 @ 6.7A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 29nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1550pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 42W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D-PAK（TO-252AA）
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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由于其響應(yīng)速度快，準確性，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能，包括放大，開關(guān)，穩(wěn)壓，信號調(diào)制和振蕩器。晶體管可獨立包裝或在一個非常小的的區(qū)域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。
