晶體管 W11NK100Z MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/7/18
W11NK100Z介紹：
描述 MOSFET N-CH 1KV 8.3A TO-247
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 38 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 1000V 8.3A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 1000V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 8.3A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 1.38 歐姆 @ 4.15A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 100μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 162nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 230W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-247-3
封裝/外殼 TO-247-3
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會(huì)使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，在柵極施加小電壓，來(lái)控制源極和泄極之間的電流。
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