晶體管 FGAF20N60SMD MOSFET
發(fā)布時間：2018/7/2
FGAF20N60SMD介紹：
描述 IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 44 周
詳細(xì)描述 IGBT Field Stop 600V 40A 75W Through Hole TO-3PF
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 40A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 60A
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 1.7V @ 15V，20A
功率 - 最大值 75W
開關(guān)能量 452μJ（開），141μJ（關(guān)）
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 64nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值 12ns/91ns
測試條件 400V，20A，10 歐姆，15V
反向恢復(fù)時間（trr） 26.7ns
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 SC-94
供應(yīng)商器件封裝 TO-3PF
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從目前的角度來看MOSFET的命名，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET里代表“metal”的第一個字母M在當(dāng)下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，現(xiàn)代的MOSFET柵極早已用多晶硅取代了金屬。
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