晶體管 SIHG23N60E-GE3 MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/6/29
SIHG23N60E-GE3介紹：
描述 MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
對無鉛要求的達標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 通孔 N 溝道 600V 23A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 E
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 23A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 158 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 95nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2418pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 227W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TA）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-247AC
封裝/外殼 TO-247-3
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晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。
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