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晶體管 TSM150P03PQ33 RGG MOSFET - 單

發(fā)布時間:2018/6/28

TSM150P03PQ33 RGG介紹:
描述 MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 3(168 小時)
制造商標準提前期 15 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 30V 36A(Tc) 27.8W(Tc) 8-PDFN(3x3)
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 36A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 15 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 29.3nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1829pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 27.8W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-PDFN(3x3)
封裝/外殼 8-PowerWDFN
安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:

公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導(dǎo)體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;

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用一個或者少量電子就能記錄信號的晶體管。隨著半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)和工藝的發(fā)展,大規(guī)模集成電路的集成度越來越高。以動態(tài)隨機存儲器(DRAM)為例,它的集成度差不多以每兩年增加四倍的速度發(fā)展,預(yù)計單電子晶體管將是最終的目標。
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