晶體管 IPI072N10N3 G MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/22
IPI072N10N3 G介紹：
描述 MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 100V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 80A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 7.2 毫歐 @ 80A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 68nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 4910pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO262-3
封裝/外殼 TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA
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無(wú)論多么優(yōu)良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問(wèn)題。隨著材料制作上的進(jìn)步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長(zhǎng)100到1000倍，稱得起永久性器件的美名。
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