晶體管 VP2206 MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/6/22
VP2206介紹：
描述 MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 含鉛 / 不符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 6 周
詳細描述 通孔 P 溝道 60V 750mA（Tj） 360mW（Tc） TO-39
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Microchip Technology
系列 -
包裝 ? 散裝 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 750mA（Tj）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 900 毫歐 @ 3.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 10mA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 450pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 360mW（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-39
封裝/外殼 TO-205AD，TO-39-3 金屬罐
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發(fā)射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
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