晶體管 NTD18N06 MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/6/21
NTD18N06介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 60V 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 18A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 65 毫歐 @ 9A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 22nC @ 5V
Vgs（最大值） ±15V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 675pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），55W（Tj）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 DPAK
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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