晶體管 DMC4028SSD-13 MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/21
DMC4028SSD-13介紹：
描述 MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.5A, 4.8A 1.8W Surface Mount 8-SO
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 和 P 溝道
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 6.5A，4.8A
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 28 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 12.9nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 604pF @ 20V
功率 - 最大值 1.8W
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
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今日半導(dǎo)體組件的材料通常以硅為首選，但是也有些半導(dǎo)體公司發(fā)展出使用其他半導(dǎo)體材料的制程，當(dāng)中最著名的例如IBM使用硅與鍺的混合物所發(fā)展的硅鍺制程（SiGe process）。
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