晶體管 IPP60R040 MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/19
IPP60R040介紹：
描述 MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 22 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 600V 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO220-3-1
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS? C7
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 50A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 40 毫歐 @ 24.9A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1.24mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 107nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 4340pF @ 400V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 227W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO220-3-1
封裝/外殼 TO-220-3
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比電子管可靠100倍，耐沖擊、耐振動，這都是電子管所無法比擬的。另外，晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一，放熱很少，可用于設(shè)計(jì)小型、復(fù)雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密，但工序簡便，有利于提高元器件的安裝密度。
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